পণ্য

Samsung KLMAG1JETD-B041 হল একটি 32GB eMMC 5.1 এমবেডেড ফ্ল্যাশ স্টোরেজ ডিভাইস, একটি কমপ্যাক্ট BGA প্যাকেজের মধ্যে একটি উন্নত eMMC কন্ট্রোলারের সাথে উচ্চ-পারফরম্যান্স NAND ফ্ল্যাশকে একীভূত করে৷

Samsung KLM4G1FETE-B041 হল একটি 4GB eMMC 5.1 এমবেডেড ফ্ল্যাশ মেমরি ডিভাইস যা কমপ্যাক্ট, কম-শক্তি, উচ্চ-নির্ভরযোগ্যতা স্টোরেজ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে৷ এটি NAND ফ্ল্যাশ এবং একটি

Samsung K4B4G1646E-BMMA হল একটি 4Gb DDR3 SDRAM ডিভাইস যা উচ্চ-গতি, কম-পাওয়ার মেমরি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে৷ এটি একটি x16 ডেটা প্রস্থ প্রদান করে এবং ভোক্তা ইলেকট্রনিক্স, শিল্প

SK hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE হল একটি ইন্টিগ্রেটেড uMCP (UFS + LPDDR4X MCP) মেমরি ডিভাইস যা উচ্চ-পারফরম্যান্স UFS ফ্ল্যাশ স্টোরেজের সাথে কম-শক্তির LPDDR4X DRAM-এর সাথে একত্রিত করে। পরিধানযোগ্য ডিভাইস,

Samsung K4F6E3S4HM-THCL হল একটি 24Gb LPDDR4 SDRAM ডিভাইস যা উচ্চ-পারফরম্যান্স, কম-পাওয়ার মোবাইল এবং এমবেডেড অ্যাপ্লিকেশানগুলির জন্য ডিজাইন করা হয়েছে৷ এটি উচ্চ ব্যান্ডউইথ, উন্নত পাওয়ার দক্ষতা, এবং

Micron MT53E512M32D1NP-046 হল একটি 16Gb LPDDR4X (লো পাওয়ার DDR4X) SDRAM ডিভাইস উচ্চ-কার্যক্ষমতা এবং পাওয়ার-দক্ষ অ্যাপ্লিকেশনের জন্য অপ্টিমাইজ করা হয়েছে৷ এটিতে একটি 32-বিট I/O বৈশিষ্ট্য রয়েছে,

মাইক্রোন MT53D512M32D2DS-053 হল একটি 16Gb LPDDR5 SDRAM ডিভাইস যা উচ্চ-পারফরম্যান্স, কম{10}}পাওয়ার অ্যাপ্লিকেশনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে। এটি উন্নত ব্যান্ডউইথ, কম পাওয়ার খরচ, এবং উন্নত

TM-1011A

TM-002-M-01

TM-001-D1-01

DSHP01TS-এস

DS-01BLP